전자회로 설계 및 test(실험) - 다이오드 特性(특성)
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작성일 23-02-03 10:08
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1.다이오드 검사
d. Si 다이오드에 상대하여 식 rd = 2(26mV/ID(mA))를 이용하여 ID = 2mA에서 과정을 보이며
정확하게 일치합니다.
a. Si 다이오드에 상대하여 식(2.2) rd = ∆V/∆I 와 앞선 그래프의 곡선을 이용하여 ID = 9mA에서 AC 저항을 과정을 보이며 계산하라.
저항은 어떻게 변하는가?
전자회로 설계 및 실험,다이오드 특성
c. 다이오드 전류가 증가하여 특성(特性)곡선의 수직 상승영역으로 올라감에 따라서 (Si과 Ge에 대한)
AC저항을 계산하라.
rd (계산값) = I 는 1.01mA -> 2.02 mA 일때 V 는 0.032V 증가. 따라서 ∆V/∆I = 32Ω
급격히 줄어들어 점점 0에 수렴한다고 볼 수 있다. 실험 순서 1.다이오드 검사
레포트 > 공학,기술계열
다.
rd (계산값) = I 는 8.08mA > 9.09 mA 일 때 V 는 0.005V 증가. 따라서 ∆V/∆I = 5Ω
c. Si 다이오드에 상대하여 ID = 2mA 일 때 5(a)를 반복하라.
5(c)와 5(d)의 결과를 비교하라.
5. AC 저항
실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.
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설명
5(a) 와 5(b)의 결과를 비교하라.
test(실험) 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 特性(특성)곡선을 계산하고, 비교하고, 측정(測定) 한다. *실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다.
test(실험) 순서
rd (계산값) = 2.88 Ω
rd (계산값) = 2*(26/2) = 32 Ω
b. Si 다이오드에 상대하여 식 rd = 26mV/ID(mA)을 이용하여 ID = 9mA에서 과정을 보이며 AC 저항을 계산하라.
순서
전자회로 설계 및 test(실험) - 다이오드 特性(특성)
*실제 test(실험) 은 si 다이오드만 이용하여 측정(測定) 하였다.
2Ω 정도의 오차가 있지만 워낙 미세한 값이기 때문에 허용 할 수 있다고 봅니다.
